La tecnología de apilamiento GAA a la que ha recurrido Samsung emplea nanoláminas con canales más anchos en lugar de nanocables con canales más estrechos para hacer transistores, un diseño con el que mejora la eficiencia energética y el rendimiento.
Esta arquitectura se recoge bajo el nombre de Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), que reduce el voltaje de suministro y aumenta la capacidad de corriente de la unidad, superando las ventajas que hasta ahora ofrecería FinFET, como recoge Samsung en un comunicado.
La aplicación de MBCFET en la fabricación de semiconductores permite producir transistores de 3nm que, en el caso de la primera generación y respecto al proceso de litografía de 5nm reduce el consumo energético en un 45 por ciento y mejora el rendimiento en 23 por ciento. El área de la superficie también se reduce en un 16 por ciento.
Aviso Legal
Esta es la opinión de los internautas, no de diarioabierto.es
No está permitido verter comentarios contrarios a la ley o injuriantes.
Nos reservamos el derecho a eliminar los comentarios que consideremos fuera de tema.
Su direcciónn de e-mail no será publicada ni usada con fines publicitarios.